삼성전자가 300밀리미터 웨이퍼 라인을 구축해 차세대 메모리 반도체의 양산에 들어갔습니다.
삼성전자 메모리 사업부 황창규 사장은 오늘 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 지난 93년 200밀리미터 웨이퍼 라인을 도입한데 이어 업계 처음으로 이번에 300밀리미터 생산라인을 도입해 차세대 메모리의 양산 체제에 돌입했다고 밝혔습니다.
삼성전자는 300mm라인 가동으로 생산량이 2.5배 정도 늘어나 원가 경쟁력을 확보할 수 있고 일부 라인에선 512메가 D램 제품을 본격생산할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.
삼성전자는 이와함께 메모리의 주력인 D램 분야의 대용량 제품 생산 비중을 현재 30%에서 연말까지 45% 수준으로 늘리고 램버스 등 차세대 제품의 생산비중도 현재의 30%에서 40%까지 확대하는 등 메모리 사업구조를 다각화하기로 했습니다.
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