SK하이닉스 “올해 D램, 낸드 시설투자에 9.6조 투입”

SK하이닉스가 올해 D램과 낸드플래시 생산시설 투자에 9조6천억원을 투입하기로 했다.

SK하이닉스는 26일 이사회 의결을 거쳐 이같은 내용의 장래사업·경영계획을 공시하고, 당초 7조원이던 올해 시설투자 계획을 37% 확대 투입하기로 했다고 밝혔다. 지난해 투자한 6조2900억원에 비하면 53% 늘어난 수치다.

이는 글로벌 반도체 시장에서 수요가 지속되고 메모리반도체 용량이 빠르게 높아지면서 생산설비 확충 필요성이 더욱 커졌다는 판단에 따른 것이다.

SK하이닉스는 공시를 통해 "수익의 상당 부분을 시설 투자에 집행하고 있는데도 빅데이터 처리와 자율주행자동차, 인공지능 개발 등 전세계적인 메모리반도체 수요 급증에 대응하는 데 한계가 있어왔다"고 설명했다.

이에 따라 SK하이닉스는 현재 구축 중인 청주와 중국 우시(無錫)의 생산라인 공사를 계획보다 앞당긴 내년 4분기까지 완료한다는 계획이다. 당초 청주는 오는 2019년 6월, 우시는 같은 해 4월까지 건설을 마칠 계획이었다.

SK하이닉스 관계자는 "시장 수요에 선제적으로 대응해 선순환적인 성장 기반을 확보한다는 의미"라며 "다만 장비 투입 시기는 시장상황과 회사의 기술역량 등을 고려해 결정할 계획"이라고 전했다.

SK하이닉스는 지난 2분기 매출 6조6천923억원, 영업이익 3조507억원을 각각 올려 사상 최고 기록을 세웠다.