‘반도체 기술 중국 유출’ 삼성전자 전 수석연구원 구속 기로

[앵커]

반도체 제조 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 삼성전자 전 수석연구원이 구속영장 심사를 받고 있습니다.

경찰은 이 연구원이 삼성전자가 독자 개발한 기술을 중국 기업에 유출한 것으로 보고 있습니다.

최민영 기자의 보도입니다.

[리포트]

삼성전자의 반도체 제조 관련 핵심 기술인 기술 공정도 등을 중국 기업에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 수석연구원 A 씨.

오늘 오전 A 씨에 대한 구속영장심사가 열렸습니다.

A 씨는 삼성전자가 2014년 독자 개발한 20나노급 D램 기술, 코드명 '볼츠만'을 중국 쓰촨성 청두의 반도체 업체 '청두가오전'에 넘긴 혐의를 받고 있습니다.

경찰은 지난해 A 씨의 집을 압수수색 하면서 반도체 제조 공정도를 발견한 것으로 전해졌습니다.

A 씨는 경찰 조사에서 자체적으로 만든 거라고 주장했지만, 경찰은 해당 공정도를 삼성전자의 기술로 판단했습니다.

청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원과 하이닉스 부사장을 지낸 최 모 씨가 2021년 중국 청두시로부터 4,600억 원가량을 투자받아 세운 회사입니다.

경찰은 삼성전자 수석연구원이던 A 씨가 최 씨에게 관련 기술을 넘긴 걸로 의심하고 있습니다.

A 씨는 현재 이 회사에서 반도체 공정 설계를 주도하는 핵심 임원으로 일하고 있습니다.

청두가오전 대표 최 씨는 삼성전자 반도체 공장 설계도를 빼내 '복제공장'을 세우려 한 혐의로 지난해 6월 구속됐다가 11월 보석으로 석방된 상태입니다.

A 씨의 구속 여부는 이르면 오늘 중 결정될 것으로 보입니다.

KBS 뉴스 최민영입니다.