중국에 반도체 기술 유출 혐의 삼성 전 부장 징역 7년

[앵커]

중국 경쟁사에 반도체 핵심 기술을 넘긴 전 삼성전자 부장이 1심에서 징역 7년을 선고받았습니다.

재판부는 국가 산업 경쟁력에 악영향을 미칠 수 있는 중대범죄라고 규정했습니다.

이원희 기자의 보도.

[리포트]

2015년 삼성전자에서 부장으로 퇴사한 김 모 씨.

이듬해 중국 경쟁사에 입사해 18나노 D램 개발에 참여했습니다.

김 씨는 이 과정에서 국가 핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 공정 정보를 무단 유출한 혐의로 재판에 넘겨졌습니다.

[이종환/상명대 시스템반도체공학과 교수 : "요즘 AI 반도체라고 하잖아요. 18나노면 최신 기술이라고 얘기할 수 있는 거죠. 그러니까 그 공정 기술을 이용해서 D램을 만든다면 경쟁력 있는 제품이 되는 거죠."]

서울중앙지법 형사합의25부는 김 씨에 대해 오늘(19일) 징역 7년에 벌금 2억 원을 선고했습니다.

재판부는 이번 사건에 대해 "대한민국 산업 경쟁력에 큰 악영향을 줄 수 있는 중대범죄"라며 이같이 판결했습니다.

반도체 업계는 이번 기술 유출로 삼성전자와 협력업체가 2조 3천억 원가량의 손해를 입었다고 봤습니다.

김 씨는 반도체 공정 담당 엔지니어들을 영입해 삼성전자의 영업비밀을 무단 사용하려는 계획을 세운 것으로 수사 결과 파악됐습니다.

실제로 세후 5억 원 넘는 금액을 제시하며 기술 인력 20여 명을 영입하기도 했습니다.

상세 공정 정보들은 다른 삼성전자 직원들이 모니터 화면을 찍거나 노트에 적어 김 씨에게 넘겼는데, 김 씨는 이 정보들을 중국 경쟁업체 서버에 올렸습니다.

재판부는 다만 김 씨의 범행이 중국 경쟁사의 빠른 성장에 큰 영향을 미쳤는지는 명확하지 않다고 봤습니다.

법원은 이와 함께 김 씨를 도와 반도체 장비 도면 등을 무단 반출한 삼성전자 협력 업체 직원 방 모 씨에게도 징역 2년 6개월을 선고했습니다.

KBS 뉴스 이원희입니다.

영상편집:이유리/그래픽:김지훈