삼성전자, 세계 최초 ‘30나노급 D램’ 개발

<앵커 멘트>

삼성전자가 세계 최초로 30 나노급 메모리 반도체 개발에 성공했습니다. 하이닉스도 공격적 투자에 나서는 등 반도체 업계가 다시 뛰기 시작했습니다.

정영훈 기자입니다.

<리포트>

머리카락 굵기의 4천분의 1 정도인 30나노급 공정을 적용해 만든 반도체 웨이퍼입니다.

삼성전자가 세계 최초로 개발했습니다.

외국 업체들의 주력인 50나노급은 같은 크기의 웨이퍼에서 100개의 메모리 반도체를 만들 수 있습니다.

하지만, 30나노 공정을 적용하면 두 배가 넘는 255개가 생산됩니다.

생산량이 2.5배 이상 많다는 얘기입니다.

<인터뷰>김창현(삼성전자 전무) : "경쟁력 측면에서는 경쟁사 대비 1년 이상의 큰 격차를 벌일 수 있는 계기가 되었습니다."

소비 전력도 적어 전 세계 인터넷 서버를 이 메모리 반도체로 바꿀 경우 서울 전체 가구가 1년 동안 쓸 수 있는 전력을 절약할 수 있습니다.

또 정보처리 속도도 2배 이상 빨라집니다.

삼성전자는 이번에 개발한 30나노급 메모리 반도체를 올해 하반기부터 본격 양산할 계획입니다.

지난해 1년 만에 천9백억 원의 흑자로 돌아선 하이닉스도 올해 모바일 메모리 등 고부가가치 제품에 2조 3천억 원을 투자하기로 했습니다.

<인터뷰>김종갑(하이닉스 사장) : "금년에는 앞으로 재무 안전성을 기하고 스스로 파이낸싱해서 부채도 갚고 투자도 할 수 있는 그런 능력을 갖자.."

치열한 생존 경쟁에서 살아남은 한국 반도체 업체들이 기술력과 앞선 투자로 세계 반도체 업계를 선도하고 있습니다.

KBS 뉴스 정영훈입니다.