일본 반도체 업체 '엘피다 메모리'가 회로 폭을 25 나노미터, 즉 '10억 분의 1미터'까지 줄인 메모리 반도체 '디램'을 개발하는 데 성공했다고 니혼게이자이신문이 보도했습니다.
신문은 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서 지금까지는 삼성전자가 앞섰지만, 엘피다가 이를 뒤집었다며 '25나노 디램'은 오는 7월부터 히로시마 공장에서 생산할 계획이라고 전했습니다.
25나노 디램의 기억용량은 '2기가바이트'로 컴퓨터나 스마트폰용으로 쓰입니다.
신문은 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서 지금까지는 삼성전자가 앞섰지만, 엘피다가 이를 뒤집었다며 '25나노 디램'은 오는 7월부터 히로시마 공장에서 생산할 계획이라고 전했습니다.
25나노 디램의 기억용량은 '2기가바이트'로 컴퓨터나 스마트폰용으로 쓰입니다.
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- “日 엘피다, 25나노 디램 개발”
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- 입력 2011-05-02 09:48:17
일본 반도체 업체 '엘피다 메모리'가 회로 폭을 25 나노미터, 즉 '10억 분의 1미터'까지 줄인 메모리 반도체 '디램'을 개발하는 데 성공했다고 니혼게이자이신문이 보도했습니다.
신문은 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서 지금까지는 삼성전자가 앞섰지만, 엘피다가 이를 뒤집었다며 '25나노 디램'은 오는 7월부터 히로시마 공장에서 생산할 계획이라고 전했습니다.
25나노 디램의 기억용량은 '2기가바이트'로 컴퓨터나 스마트폰용으로 쓰입니다.
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성재호 기자 jhsung@kbs.co.kr
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