10나노미터 이하 반도체 두께 인증표준 물질 개발
입력 2012.09.26 (13:49)
수정 2012.09.26 (16:02)
읽어주기 기능은 크롬기반의
브라우저에서만 사용하실 수 있습니다.
한국표준과학연구원 김창수 박사팀은 신물질을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께 인증표준 물질을 국내 최초로 개발했다고 밝혔습니다.
연구팀은 X-선 반사법으로 기존의 실리콘 산화막(SiO2) 대신 하이-K 물질인 '하프늄 산화막(HfO2)'을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께에서도 미세하고 정밀한 인증을 할 수 있게 됐다고 밝혔습니다.
이번 기술 개발로 앞으로 초미세 반도체 제조 공정에 보다 정확한 두께 표준을 제공할 것으로 기대됩니다.
연구팀은 X-선 반사법으로 기존의 실리콘 산화막(SiO2) 대신 하이-K 물질인 '하프늄 산화막(HfO2)'을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께에서도 미세하고 정밀한 인증을 할 수 있게 됐다고 밝혔습니다.
이번 기술 개발로 앞으로 초미세 반도체 제조 공정에 보다 정확한 두께 표준을 제공할 것으로 기대됩니다.
■ 제보하기
▷ 카카오톡 : 'KBS제보' 검색, 채널 추가
▷ 전화 : 02-781-1234, 4444
▷ 이메일 : kbs1234@kbs.co.kr
▷ 유튜브, 네이버, 카카오에서도 KBS뉴스를 구독해주세요!
- 10나노미터 이하 반도체 두께 인증표준 물질 개발
-
- 입력 2012-09-26 13:49:01
- 수정2012-09-26 16:02:37
한국표준과학연구원 김창수 박사팀은 신물질을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께 인증표준 물질을 국내 최초로 개발했다고 밝혔습니다.
연구팀은 X-선 반사법으로 기존의 실리콘 산화막(SiO2) 대신 하이-K 물질인 '하프늄 산화막(HfO2)'을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께에서도 미세하고 정밀한 인증을 할 수 있게 됐다고 밝혔습니다.
이번 기술 개발로 앞으로 초미세 반도체 제조 공정에 보다 정확한 두께 표준을 제공할 것으로 기대됩니다.
-
-
박장훈 기자 pjh@kbs.co.kr
박장훈 기자의 기사 모음
-
이 기사가 좋으셨다면
-
좋아요
0
-
응원해요
0
-
후속 원해요
0
이 기사에 대한 의견을 남겨주세요.