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10나노미터 이하 반도체 두께 인증표준 물질 개발
입력 2012.09.26 (13:49) 수정 2012.09.26 (16:02) 사회
한국표준과학연구원 김창수 박사팀은 신물질을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께 인증표준 물질을 국내 최초로 개발했다고 밝혔습니다.

연구팀은 X-선 반사법으로 기존의 실리콘 산화막(SiO2) 대신 하이-K 물질인 '하프늄 산화막(HfO2)'을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께에서도 미세하고 정밀한 인증을 할 수 있게 됐다고 밝혔습니다.

이번 기술 개발로 앞으로 초미세 반도체 제조 공정에 보다 정확한 두께 표준을 제공할 것으로 기대됩니다.
  • 10나노미터 이하 반도체 두께 인증표준 물질 개발
    • 입력 2012-09-26 13:49:01
    • 수정2012-09-26 16:02:37
    사회
한국표준과학연구원 김창수 박사팀은 신물질을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께 인증표준 물질을 국내 최초로 개발했다고 밝혔습니다.

연구팀은 X-선 반사법으로 기존의 실리콘 산화막(SiO2) 대신 하이-K 물질인 '하프늄 산화막(HfO2)'을 활용해 10 나노미터 이하의 반도체 두께에서도 미세하고 정밀한 인증을 할 수 있게 됐다고 밝혔습니다.

이번 기술 개발로 앞으로 초미세 반도체 제조 공정에 보다 정확한 두께 표준을 제공할 것으로 기대됩니다.
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