삼성전자, 12단 적층 5세대 고대역폭 메모리 최초 개발

삼성전자가 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 36기가바이트 5세대 HBM(HBM3E) 개발에 성공했다고 오늘(27일) 밝혔습니다.

12단 HBM3E(에이치비엠쓰리이)는 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두 전작인 8단 적층 4세대 HBM 대비 50% 이상 성능이 개선된 제품입니다.

12단 적층은 'Advanced TC NCF' 기술을 활용해 8단과 동일한 높이로 구현했습니다.

해당 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다는 게 삼성전자 설명입니다.

삼성전자는 "AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에 최고의 솔루션이 될 것으로 기대된다"고 설명했습니다.

삼성전자는 12단 HBM3E의 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정입니다.

[사진 출처 : 연합뉴스 / 삼성전자 제공]