검찰, ‘반도체 핵심기술 유출’ 삼성전자 전 직원 구속기소

반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 빼돌린 혐의로 재판에 넘겨진 삼성전자 전 임원이 1심에서 징역 7년을 선고받은 가운데, 검찰이 이 사건의 공범인 삼성전자 전직 직원을 구속상태로 재판에 넘겼습니다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)은 오늘(2일) 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반, 부정경쟁 방지 및 영업비밀 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 삼성전자 전 직원 전 모 씨를 구속기소했습니다.

전 씨와 공범 김 모 씨는 중국 반도체 제조업체인 창신메모리테크놀로지로 이직한 다음, 삼성전자의 D램 공정을 부정취득·사용한 혐의를 받습니다.

이들은 창신메모리테크놀로지로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정기술 확보와 핵심 인력 영입 등을 통한 기술 유출을 계획한 것으로 파악됐습니다.

이들은 위장회사를 통해 입사하는 한편, 출국금지나 체포되었을 때는 단체 SNS 대화방에 그 사실을 알리는 암호를 남기도록 정하는 등 향후 수사에 철저히 대비한 뒤 범행한 것으로 확인됐습니다.

전 씨는 창신메모리테크놀로지로부터 보너스와 스톡옵션 등 약 6년 동안 29억 원 상당을 받은 것으로 조사됐습니다.

전 씨와 김 씨가 유출한 삼성전자의 기술은 개발비가 1조 6천억 원에 달하는 국가 핵심기술로, 이번 기술 유출로 삼성전자는 지난해 추정 매출감소액만 수조 원으로 향후 최소 수십조 원의 손해가 발생할 것으로 예상됩니다.

검찰은 삼성전자 D램 공정기술을 외부로 빼돌린 혐의로 올해 2월 징역 7년을 선고받은 삼성전자 전직 부장 김 모 씨에 대한 추가 수사 과정에서 전 씨 등의 범행 혐의를 확인했습니다.

검찰은 삼성전자 자료를 유출한 공범은 인터폴의 협조를 통해 추적하고 있습니다.

창신메모리테크놀로지는 중국 지방정부가 2조 6천억 원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사입니다.

[사진 출처 : 연합뉴스]